GaN Semiconductors

GaN-полупроводники EPC являются ядром беспроводной сети с большой площадью поверхности

EPC's GaN Semiconductors EPC 100 В EPC2107 и 60 В EPC2108 Полугомостовые интегральные схемы питания eGaN со встроенным загрузочным полевым транзистором FET устраняют потери, вызванные обратным восстановлением затвором, а также необходимость в зажиме с высокой стороны. Разработанные специально для резонансных приложений беспроводной передачи энергии, эти продукты позволяют быстро создавать высокоэффективные системы конечного использования, создавая основу для массового внедрения беспроводных цепей питания.

Характеристики

Более высокая частота переключения
- Меньшие потери на переключение, меньшая паразитная индуктивность и меньшая мощность привода
Интегрированный дизайн
- Повышение эффективности, увеличение удельной мощности, снижение затрат на сборку
Маленький след
- Низкая индуктивность, чрезвычайно малая, пассивированная матрица BGA для поверхностного монтажа 1,35 мм х 1,35 мм

Приложения

Беспроводная мощность для 5G
Мобильные устройства
Роботы
Индустриальная автоматизация
Медицинское оборудование и автомобили