SIDR140DP-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

Изображение может быть представлением. Смотрите спецификации для деталей продукта.

Обзор продукта

Тип продуктов:	SIDR140DP-T1-GE3
Изготовитель / Производитель:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Описание товара	MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC
Спецификация:	SIDR140DP-T1-GE3.pdf
Статус RoHS	Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Состояние на складе	79408 pcs stock
Доставить из	Гонконг
Путь отгрузки	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 79408 pcs

Справочная цена (в долларах США)

3000 pcs: $0.434

Онлайн - запрос: Пожалуйста, заполните все обязательные поля своей контактной информацией. Нажмите « SUBMIT RFQ », и мы вскоре свяжемся с вами по электронной почте Или напишите нам:Info@infinity-electronic.com

Проходная цена:
Кол-во:

Всего:$0.434

Пожалуйста, дайте нам вашу целевую цену, если количество превышает отображаемое.

Тип продуктов
Наименование компании
Контактное лицо
Эл. почта
Сообщение

Технические характеристики SIDR140DP-T1-GE3

Тип продуктов	SIDR140DP-T1-GE3	производитель	Electro-Films (EFI) / Vishay
Описание	MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC	Статус бесплатного свидания / Статус RoHS	Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Кол-во в наличии	79408 pcs	Техническая спецификация	SIDR140DP-T1-GE3.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA	Vgs (макс.)	+20V, -16V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)	Поставщик Упаковка устройства	PowerPAK® SO-8DC
Серии	TrenchFET® Gen IV	Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.67 mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	6.25W (Ta), 125W (Tc)	упаковка	Tape & Reel (TR)
Упаковка /	PowerPAK® SO-8	Другие названия	SIDR140DP-T1-GE3TR
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)	Тип установки	Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)	1 (Unlimited)	Статус бесплатного свидания / Статус RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	8150pF @ 10V	Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	170nC @ 10V
Тип FET	N-Channel	FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Слить к источнику напряжения (VDSS)	25V
Подробное описание	N-Channel 25V 79A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC	Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	79A (Ta), 100A (Tc)

Вид транспорта
После продажи
Спецификация

★ БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА ОТ DHL / FEDEX / UPS, ЕСЛИ ЗАКАЗАТЬ БОЛЬШЕ 1000 USD.
(ТОЛЬКО ДЛЯ интегральных схем, защиты цепей, RF / IF и RFID, оптоэлектроники, датчиков, преобразователей, трансформаторов, изоляторов, переключателей, реле)

FEDEX	www.FedEx.com	От 35,00 $ базовая стоимость доставки зависит от зоны и страны.
DHL	www.DHL.com	От 35,00 $ базовая стоимость доставки зависит от зоны и страны.
UPS	www.UPS.com	От 35,00 $ базовая стоимость доставки зависит от зоны и страны.
тротил	www.TNT.com	От 35,00 $ базовая стоимость доставки зависит от зоны и страны.

★ Время доставки потребуется 2-4 дня для большинства стран мира по DHL / UPS / FEDEX / TNT.

Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас есть какие-либо вопросы по поводу доставки. Свяжитесь с нами по электронной почте Info@infinity-electronic.com

ПОСЛЕПРОДАЖНАЯ ГАРАНТИЯ

Каждому продукту от Infinity-Semiconductor.com был предоставлен гарантийный срок 1 год. В течение этого периода мы могли бы предоставить бесплатное техническое обслуживание в случае возникновения каких-либо проблем с нашими продуктами.
Если вы обнаружите проблемы с качеством наших продуктов после их получения, вы можете протестировать их и подать заявку на безусловное возмещение, если это может быть доказано.
Если товар неисправен или не работает, вы можете вернуться к нам в течение 1 ГОДА, все транспортные и таможенные сборы за товар несут мы.

Связанные теги

Electro-Films (EFI) / Vishay SIDR140DP-T1-GE3
SIDR140DP-T1-GE3 дистрибьютор
SIDR140DP-T1-GE3 Поставщик
SIDR140DP-T1-GE3 Цена
Фотографии SIDR140DP-T1-GE3
SIDR140DP-T1-GE3 Image
SIDR140DP-T1-GE3 PDF Datasheet
SIDR140DP-T1-GE3 Скачать спецификацию
SIDR140DP-T1-GE3 Datasheet
SIDR140DP-T1-GE3 сток
Купить SIDR140DP-T1-GE3
Купить Electro-Films (EFI) / Vishay SIDR140DP-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay SIDR140DP-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay Поставщик
Electro-Films (EFI) / Vishay Дистрибьютор
Electro-Films (EFI) / Vishay SIDR140DP-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay SIDR140DP-T1-GE3
Vishay Electro-Films SIDR140DP-T1-GE3
Phoenix Passive Components / Vishay SIDR140DP-T1-GE3

сопутствующие товары

: SIDC85D170HX1SA2; Производители: International Rectifier (Infineon Technologies); Описание: DIODE GEN PURP 1.7KV 150A WAFER; Быть в наличии: 6141 pcs; Скачать: SIDC85D170HX1SA2.pdf; RFQ

: SIDEGIG-GUITAREVM; Производители: N/A; Описание: EVALUATION MODULE; Быть в наличии: 1952 pcs; Скачать:; RFQ

: SIDR626DP-T1-GE3; Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay; Описание: MOSFET N-CHAN 60V; Быть в наличии: 25230 pcs; Скачать: SIDR626DP-T1-GE3.pdf; RFQ

: SIDR402DP-T1-GE3; Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay; Описание: MOSFET N-CHAN 40V PPSO-8DC; Быть в наличии: 65874 pcs; Скачать: SIDR402DP-T1-GE3.pdf; RFQ

: SIDR638DP-T1-GE3; Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay; Описание: MOSFET N-CH 40V 100A SO-8; Быть в наличии: 90457 pcs; Скачать: SIDR638DP-T1-GE3.pdf; RFQ

: SIDR392DP-T1-GE3; Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay; Описание: MOSFET N-CHAN 30V; Быть в наличии: 68874 pcs; Скачать: SIDR392DP-T1-GE3.pdf; RFQ

: SIDC81D120F6X1SA1; Производители: International Rectifier (Infineon Technologies); Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER; Быть в наличии: 4430 pcs; Скачать: SIDC81D120F6X1SA1.pdf; RFQ

: SIDR610DP-T1-GE3; Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay; Описание: MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC; Быть в наличии: 43732 pcs; Скачать: SIDR610DP-T1-GE3.pdf; RFQ

: SIDC81D120H6X1SA2; Производители: International Rectifier (Infineon Technologies); Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 150A WAFER; Быть в наличии: 6104 pcs; Скачать: SIDC81D120H6X1SA2.pdf; RFQ

: SIDC81D120E6X1SA4; Производители: International Rectifier (Infineon Technologies); Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER; Быть в наличии: 6699 pcs; Скачать: SIDC81D120E6X1SA4.pdf; RFQ

: SIDR622DP-T1-GE3; Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay; Описание: MOSFET N-CHAN 150V; Быть в наличии: 63328 pcs; Скачать: SIDR622DP-T1-GE3.pdf; RFQ

: SIDC81D60E6X1SA3; Производители: International Rectifier (Infineon Technologies); Описание: DIODE GEN PURP 600V 200A WAFER; Быть в наличии: 3872 pcs; Скачать: SIDC81D60E6X1SA3.pdf; RFQ

Новости отрасли

Ром добавляет 10 автомобильных SiC Mosfets: «Внедрение серии SCT3xxxxxHR позволяет Rohm предложить самый ...

ON добавляет к SiC MOSFETs: ON Semiconductor представила два SiC MOSFET, предназначенные для э...

APEC: TI думает о том, чтобы сделать чип AC-DC с резервной мощностью 15 мВт: «Это устройство обеспечивает наилучший баланс между в...

Спонсированный контент: SIGLENT SVA1015X Spectrum Analyzer: Анализатор спектра SIGLENT SVA1015X - это очень мощный и гибки...

Ожидается, что расходы на производство полуфабрикатов сократятся на 14% в этом году и вырастут на 27% в следующем.: Спровоцированный спадом в секторе памяти, спад в 2019 го...

Power Stamp Alliance сокращает потребность в центральном процессоре для мониторинга блоков питания и добавляет эталонный дизайн: Альянс (Artesyn Embedded Technologies, Bel Power Solutions, Flex и STMicroelectronics) соз...

APEC: SiC power и усовершенствованные облачные электроинструменты: Поисковые возможности были улучшены, и есть меню в сти...

Dengrove добавляет компактные DC / DC-преобразователи от Recom: Они предназначены для приложений, требующих высокой п...

Первый военный процессор Arm для приложений высокого разрешения: LS1046A является частью 64-битного портфеля Arm Layerscape компан...

Выберите свою страну или регион.