0 Item(s)
0 Item(s)
Toshiba Semiconductor and Storage
| Тип продуктов | TK14C65W,S1Q | производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Описание | MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK | Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 24138 pcs | Техническая спецификация | TK14C65W,S1Q.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 3.5V @ 690µA | Vgs (макс.) | ±30V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | Поставщик Упаковка устройства | I2PAK |
| Серии | DTMOSIV | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 6.9A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 130W (Tc) | упаковка | Tube |
| Упаковка / | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | Другие названия | TK14C65W,S1Q(S TK14C65W,S1Q(S2 TK14C65W,S1Q-ND TK14C65WS1Q |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | Тип установки | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) | Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1300pF @ 300V | Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Тип FET | N-Channel | FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Слить к источнику напряжения (VDSS) | 650V |
| Подробное описание | N-Channel 650V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Through Hole I2PAK | Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 13.7A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | От 35,00 $ базовая стоимость доставки зависит от зоны и страны. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | От 35,00 $ базовая стоимость доставки зависит от зоны и страны. |
| UPS | www.UPS.com | От 35,00 $ базовая стоимость доставки зависит от зоны и страны. |
| тротил | www.TNT.com | От 35,00 $ базовая стоимость доставки зависит от зоны и страны. |
