EEPROM блокирует запись при 100 мкА
Austriamicrosystems заявляет, что встроенные блоки EEPROM для своего семейства смешанных сигналов 0,35 мкм Asic обеспечивают низкое энергопотребление и высокое сохранение данных в расширенном температурном диапазоне благодаря своей технологии NV на основе PMOS.
Блоки EEPROM содержат интерфейс шины и насос внутренней зарядки. Процесс NV поддерживает токи записи менее 100 мкА. Работа в диапазоне напряжений питания от 1,8 до 3,6 В.
Ячейки памяти также могут быть сконфигурированы как блоки EEPROM или флэш-память без каких-либо изменений процесса. По словам поставщика, токи тока записи менее 100 мкА делают этот процесс подходящим для мобильных и RFID-приложений.
Блоки памяти доступны в виде дополнительного технологического модуля для 0,35 мкм CMOS-процесса, переданного TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company). Блоки памяти IP могут быть получены от austriamicrosystems на основании единовременного лицензионного сбора.
Кроме энергонезависимой памяти EEPROM / Flash, austriamicrosystems также предлагает блоки OTP, которые могут быть объединены на одном чипе без дополнительных слоев маски. Эти полифузионные блоки одноразово программируются при рабочем напряжении 3,3 В и обеспечивают очень быстрое время доступа для чтения - 50 нс на байт.
Тел: 00 43 3136 500 5995