0 Item(s)
0 Item(s)
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Тип продуктов | FDB86360-F085 | производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Описание | MOSFET N-CH 80V 110A TO263 | Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 17283 pcs | Техническая спецификация | FDB86360-F085.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | Поставщик Упаковка устройства | D²PAK (TO-263AB) |
| Серии | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 mOhm @ 80A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 333W (Tc) | упаковка | Cut Tape (CT) |
| Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Другие названия | FDB86360-F085CT FDB86360_F085CT FDB86360_F085CT-ND |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | Тип установки | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) | Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 14600pF @ 25V | Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 253nC @ 10V |
| Тип FET | N-Channel | FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Слить к источнику напряжения (VDSS) | 80V |
| Подробное описание | N-Channel 80V 110A (Tc) 333W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) | Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 110A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | От 35,00 $ базовая стоимость доставки зависит от зоны и страны. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | От 35,00 $ базовая стоимость доставки зависит от зоны и страны. |
| UPS | www.UPS.com | От 35,00 $ базовая стоимость доставки зависит от зоны и страны. |
| тротил | www.TNT.com | От 35,00 $ базовая стоимость доставки зависит от зоны и страны. |
