HGTD1N120BNS9A

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Изображение может быть представлением. Смотрите спецификации для деталей продукта.

Обзор продукта

Тип продуктов:	HGTD1N120BNS9A
Изготовитель / Производитель:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Описание товара	IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Спецификация:	HGTD1N120BNS9A.pdf
Статус RoHS	Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Состояние на складе	59454 pcs stock
Доставить из	Гонконг
Путь отгрузки	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 59454 pcs

Справочная цена (в долларах США)

1 pcs: $0.562

10 pcs: $0.504

100 pcs: $0.393

500 pcs: $0.324

1000 pcs: $0.256

Онлайн - запрос: Пожалуйста, заполните все обязательные поля своей контактной информацией. Нажмите « SUBMIT RFQ », и мы вскоре свяжемся с вами по электронной почте Или напишите нам:Info@infinity-electronic.com

Проходная цена:(USD)
Кол-во:

Всего:$0.562

Пожалуйста, дайте нам вашу целевую цену, если количество превышает отображаемое.

Тип продуктов
Наименование компании
Контактное лицо
Эл. почта
Сообщение

Технические характеристики HGTD1N120BNS9A

Тип продуктов	HGTD1N120BNS9A	производитель	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Описание	IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA	Статус бесплатного свидания / Статус RoHS	Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Кол-во в наличии	59454 pcs	Техническая спецификация	HGTD1N120BNS9A.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)	1200V	Vce (на) (Max) @ VGE, Ic	2.9V @ 15V, 1A
режим для испытаний	960V, 1A, 82 Ohm, 15V	Td (вкл / выкл) при 25 ° C	15ns/67ns
Переключение энергии	70µJ (on), 90µJ (off)	Поставщик Упаковка устройства	TO-252AA
Серии	-	Мощность - Макс	60W
упаковка	Original-Reel®	Упаковка /	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Другие названия	HGTD1N120BNS9ADKR	Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки	Surface Mount	Уровень чувствительности влаги (MSL)	1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Тип ввода	Standard
Тип IGBT	NPT	Заряд затвора	14nC
Подробное описание	IGBT NPT 1200V 5.3A 60W Surface Mount TO-252AA	Ток - Коллектор Импульсные (ICM)	6A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)	5.3A	Номер базового номера	HGTD1N120

Вид транспорта
После продажи
Спецификация

★ БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА ОТ DHL / FEDEX / UPS, ЕСЛИ ЗАКАЗАТЬ БОЛЬШЕ 1000 USD.
(ТОЛЬКО ДЛЯ интегральных схем, защиты цепей, RF / IF и RFID, оптоэлектроники, датчиков, преобразователей, трансформаторов, изоляторов, переключателей, реле)

FEDEX	www.FedEx.com	От 35,00 $ базовая стоимость доставки зависит от зоны и страны.
DHL	www.DHL.com	От 35,00 $ базовая стоимость доставки зависит от зоны и страны.
UPS	www.UPS.com	От 35,00 $ базовая стоимость доставки зависит от зоны и страны.
тротил	www.TNT.com	От 35,00 $ базовая стоимость доставки зависит от зоны и страны.

★ Время доставки потребуется 2-4 дня для большинства стран мира по DHL / UPS / FEDEX / TNT.

Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас есть какие-либо вопросы по поводу доставки. Свяжитесь с нами по электронной почте Info@infinity-electronic.com

ПОСЛЕПРОДАЖНАЯ ГАРАНТИЯ

Каждому продукту от Infinity-Semiconductor.com был предоставлен гарантийный срок 1 год. В течение этого периода мы могли бы предоставить бесплатное техническое обслуживание в случае возникновения каких-либо проблем с нашими продуктами.
Если вы обнаружите проблемы с качеством наших продуктов после их получения, вы можете протестировать их и подать заявку на безусловное возмещение, если это может быть доказано.
Если товар неисправен или не работает, вы можете вернуться к нам в течение 1 ГОДА, все транспортные и таможенные сборы за товар несут мы.

Связанные теги

AMI Semiconductor / ON Semiconductor HGTD1N120BNS9A
HGTD1N120BNS9A дистрибьютор
HGTD1N120BNS9A Поставщик
HGTD1N120BNS9A Цена
Фотографии HGTD1N120BNS9A
HGTD1N120BNS9A Image
HGTD1N120BNS9A PDF Datasheet
HGTD1N120BNS9A Скачать спецификацию
HGTD1N120BNS9A Datasheet
HGTD1N120BNS9A сток
Купить HGTD1N120BNS9A
Купить AMI Semiconductor / ON Semiconductor HGTD1N120BNS9A
AMI Semiconductor / ON Semiconductor HGTD1N120BNS9A
AMI Semiconductor / ON Semiconductor Поставщик
AMI Semiconductor / ON Semiconductor Дистрибьютор
AMI Semiconductor / ON Semiconductor HGTD1N120BNS9A
ON Semiconductor HGTD1N120BNS9A
Aptina / ON Semiconductor HGTD1N120BNS9A
Catalyst Semiconductor / ON Semiconductor HGTD1N120BNS9A
PulseCore Semiconductor / ON Semiconductor HGTD1N120BNS9A
Sanyo Semiconductor / ON Semiconductor HGTD1N120BNS9A

сопутствующие товары

: HGT1S7N60C3DS; Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; Описание: IGBT 600V 14A 60W TO263AB; Быть в наличии: 6845 pcs; Скачать: HGT1S7N60C3DS.pdf; RFQ

: HGT1S20N60C3S9A; Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; Описание: IGBT 600V 45A 164W TO263AB; Быть в наличии: 36843 pcs; Скачать: HGT1S20N60C3S9A.pdf; RFQ

: HGTG11N120CND; Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; Описание: IGBT 1200V 43A 298W TO247; Быть в наличии: 28323 pcs; Скачать: HGTG11N120CND.pdf; RFQ

: HGTG12N60A4; Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; Описание: IGBT 600V 54A 167W TO247; Быть в наличии: 5659 pcs; Скачать: HGTG12N60A4.pdf; RFQ

: HGT1S2N120CN; Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; Описание: IGBT 1200V 13A 104W I2PAK; Быть в наличии: 5443 pcs; Скачать: HGT1S2N120CN.pdf; RFQ

: HGT1S7N60A4DS; Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; Описание: IGBT 600V 34A 125W TO263AB; Быть в наличии: 5983 pcs; Скачать: HGT1S7N60A4DS.pdf; RFQ

: HGTD7N60C3S9A; Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; Описание: IGBT 600V 14A 60W TO252AA; Быть в наличии: 52433 pcs; Скачать: HGTD7N60C3S9A.pdf; RFQ

: HGTG10N120BND; Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; Описание: IGBT 1200V 35A 298W TO247; Быть в наличии: 25035 pcs; Скачать: HGTG10N120BND.pdf; RFQ

: HGTG11N120CN; Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; Описание: IGBT 1200V 43A 298W TO247; Быть в наличии: 5149 pcs; Скачать: HGTG11N120CN.pdf; RFQ

: HGT1S3N60A4DS9A; Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; Описание: IGBT 600V 17A 70W D2PAK; Быть в наличии: 4847 pcs; Скачать: HGT1S3N60A4DS9A.pdf; RFQ

: HGT1S7N60C3DS9A; Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; Описание: IGBT 600V 14A 60W TO263AB; Быть в наличии: 3309 pcs; Скачать: HGT1S7N60C3DS9A.pdf; RFQ

: HGTD3N60C3S9A; Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; Описание: IGBT 600V 6A 33W TO252AA; Быть в наличии: 5697 pcs; Скачать: HGTD3N60C3S9A.pdf; RFQ

Новости отрасли

Ром добавляет 10 автомобильных SiC Mosfets: «Внедрение серии SCT3xxxxxHR позволяет Rohm предложить самый ...

ON добавляет к SiC MOSFETs: ON Semiconductor представила два SiC MOSFET, предназначенные для э...

APEC: TI думает о том, чтобы сделать чип AC-DC с резервной мощностью 15 мВт: «Это устройство обеспечивает наилучший баланс между в...

Спонсированный контент: SIGLENT SVA1015X Spectrum Analyzer: Анализатор спектра SIGLENT SVA1015X - это очень мощный и гибки...

Ожидается, что расходы на производство полуфабрикатов сократятся на 14% в этом году и вырастут на 27% в следующем.: Спровоцированный спадом в секторе памяти, спад в 2019 го...

Power Stamp Alliance сокращает потребность в центральном процессоре для мониторинга блоков питания и добавляет эталонный дизайн: Альянс (Artesyn Embedded Technologies, Bel Power Solutions, Flex и STMicroelectronics) соз...

APEC: SiC power и усовершенствованные облачные электроинструменты: Поисковые возможности были улучшены, и есть меню в сти...

Dengrove добавляет компактные DC / DC-преобразователи от Recom: Они предназначены для приложений, требующих высокой п...

Первый военный процессор Arm для приложений высокого разрешения: LS1046A является частью 64-битного портфеля Arm Layerscape компан...

Выберите свою страну или регион.