0 Item(s)
0 Item(s)
Toshiba Semiconductor and Storage
| Тип продуктов | TPC8012-H(TE12L,Q) | производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Описание | MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP | Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 6913 pcs | Техническая спецификация | 1.TPC8012-H(TE12L,Q).pdf2.TPC8012-H(TE12L,Q).pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 5V @ 1mA | Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | Поставщик Упаковка устройства | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Серии | π-MOSV | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 900mA, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 1W (Ta) | упаковка | Original-Reel® |
| Упаковка / | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) | Другие названия | TPC8012-HDKR TPC8012-HDKR-ND TPC8012-HQDKR TPC8012HTE12LQ |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | Тип установки | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) | Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 440pF @ 10V | Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Тип FET | N-Channel | FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Слить к источнику напряжения (VDSS) | 200V |
| Подробное описание | N-Channel 200V 1.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0) | Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 1.8A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | От 35,00 $ базовая стоимость доставки зависит от зоны и страны. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | От 35,00 $ базовая стоимость доставки зависит от зоны и страны. |
| UPS | www.UPS.com | От 35,00 $ базовая стоимость доставки зависит от зоны и страны. |
| тротил | www.TNT.com | От 35,00 $ базовая стоимость доставки зависит от зоны и страны. |
